产品原理
基于非线性光学原理的先进显微成像技术，核心原理是利用高光子密度条件下的双光子吸收效应：荧光分子同时吸收2个长波长红外光子，跃迁到激发态后发射1个短波长光子，通过检测该光子信号实现成像。
核心优势与客户价值
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高分辨率三维成像能力横向分辨率可达0.4μm（60X水镜下），纵向分辨率约1μm，可清晰识别碳化硅中的位错、杂质等微米级甚至纳米级缺陷。通过激光焦点的三维扫描，结合Z轴载物台移 动，可实现深度达30μm以上的三维成像，直观呈现缺陷在样品内部的分布轨迹（如碳化硅外延层与基底界面处的位错走向）。
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深层穿透与低损伤特性采用近红外激发波长，在强散射样品（如碳化硅外延层）中受散射影响小，穿透深度显著优于可见光单光子成像。使用飞秒脉冲激光（脉冲宽度 ≤200fs），峰值功率高 但平均功率低（典型激发功率125-200 mW），对样品损伤极小，可重复检测同一区域。
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灵活的成像与分析能力宽波段反射式扫描，可覆盖0.4-20μm 光谱范围,可搭 配多种波长激光器，适配不同样品的发光特性。除强度成像外，可结合光谱分析（如区分碳化硅中TSD/TED位错的 发光峰差异）、瞬态信号检测（如荧光寿命），提供缺陷的物理化学特性信息。
技术规格
| 激光配置 | 显微镜 | 物镜 | 电子目镜 | 光电探测器 |
| 中心波长：355nm/ 515nm/ 780nm/ 1030nm 平均功率:50~200mW；重复频率: 80MHz；脉沖宽度：≤200 fs | 工业级正置龙门架构、落射式照明、带荧光模块（可选） | 标配空气镜 4X 20X 40X 电动可切换，可选配升级 | 彩色 CMOS 相机 30fps ≥2k分辨率 | SI-PM/PMT |
| 载物台 | 空间分辨率 | 成像速度 | 成像视野 | 主要功能 | 晶圆真空吸盘（选配） |
| 行程：200mmX200mmX20mm 分辨率：50μm 重复定位精度：±0.5μm 最大速度：100mm/s | ≤400nm | 10FPS | 3000μmX3000μm 4X物镜 300μmX300μm 40X物镜 | 宽禁带半导晶圆缺陷检 明场大面积拼图预览 明场自动对焦、自动曝光功能 激光扫描成像大面积拼图功能 激光扫描成像三维层扫功能 2D / 3D 图像渲染、图像处理功能 实时激光锁焦功能（选配） | 8寸晶圆真空吸盘，可以吸附1~8寸晶圆 |
